，晶闸管是硅晶体闸流管的简称。可控硅是大功率变流器件，利用其整流可控特性可方便地对大功率来控制和变换。它具有体积小、重量轻、耐压高、容量大，使用维护简单、控制灵敏等优点，所以在生产上得到了广泛应用。

  把交流电变换为大小可调的直流电称为可控整流。例如，直流电动机调压、调速，电解、电镀电源均可采用可控整流供电。

  有源逆变是指把直流电变换成与电网同频率的交流电，并将电能返送给交流电源。例如，高压电工程将三相交流电先变换成高压直流电，再进行远距离输送，抵达目的地后，再利用有源逆变技术把直流电变换成与当地电网同频率的交流电供给用户。

  交流调压是指把不变的交流电压变换成大小可调的交流电压。例如，用于灯光控制、温度控制及交流电动机的调压、调速。

  把某一频率的交流电变换成另一频率交流电的设备称为变频器。例如，可控硅中频电源、不间断电源(UPS)、异步电动机变频调速中均含有变频器。

  用可控硅可组成无触点功率开关，取代接触器、继电器，用于操作频繁的场合。例如，可用于控制电动机正反转和防爆、防火的场合。

  可控硅是用硅材料制成的半导体器件，它有3种结构及形式：螺栓式、平板式和塑料封装式。

  1、可控硅的结构及符号如上图所示，它有阳极A、阴极K和门极G三个电极。螺栓式可控硅的阳极紧拴在铝制散热器上，平板式可控硅则用两个彼此绝缘、形状相同的散热器把阳极与阴极紧紧夹住。

  2、可控硅的内部结构如上图所示，它的管芯由四层(P1、N1、P2、N2)、三端(A、K、G)半导体器件构成，具有3个PN结，即J1、J2、J3，由此可见，可控硅是一个四层三端三结大功率半导体器件。

  为了搞清可控硅的导通和关断条件，可用上图所示的电路做实验说明。可控硅与灯泡串联经开关S1接到电源Ea上，门极与阴极经开关S2接到电源Eg上。开关S1、S2皆为双掷开关，可有正、零、反3种位置。

  可控硅阳、阴极间加上正向电压而控制极不加电压时，可控硅处于正向阻断状态。

  在门极断开或可控硅处于正向阻断的情况下，结温为额定值时，允许重复加到可控硅阳极与阴极之间的正向峰值电压，称为正向重复峰值电压，用符号UDRM表示。

  在门极断开的情况下，结温为额定值时，允许重复加到可控硅阳极与阴极之间的反向峰值电压，称为反向重复峰值电压，用符号URRM表示。

  通常取UDRM与URRM中的较小者作为可控硅的标称电压。在实际应用中，由于可控硅的过电压、过电流能力差，所以在选择可控硅额定电压值时，一般取实际在做的工作时最大电压的2~3倍。例如，单相交流电路中的有效值为220V，最大值为311V，则可控硅的额定电压应选用600V、700V或者800V。

  在规定的环境和温度和标准散热条件下，元件通以正弦半波额定电流时，阳极与阴极之间的电压降平均值称为通态平均电压,用符号UT(AV)表示。UT(AV)是有级别的，即从A级到I级，A级为0.4V，,I级为1.2V。

  在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，当结温稳定且不超过额定结温时，可控硅阳极与阴极之间允许通过的正弦半波电流平均值，称为可控硅的额定电流，用符号IT(AV)表示。实际中由于可控硅的过电流能力比较差，选择额定电流时应考虑1.5~2倍的安全裕量。

  在规定的环境和温度和门极断开的情况下，维持可控硅继续导通所需的最小阳极电流称为维持电流，用符号IH表示。当可控硅的阳极电流小于维持电流时，可控硅关断。

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  调光，能够最终靠可调电阻，来改变电压，来控制导通角的大小，实现调节作用，为啥不直接

  本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑 我这有一个BTA06的双向

  很容易击穿，之后电路就长期处在导通状态，分析了很久没发现什么样的问题，求各路高手帮忙一下，到底哪里设计错了？另外，一直弄不明白R0和R4有

  在中频炉、软起动的使用，本人还比较清楚。接触这类的客户也多，目前想做无功补偿与谐坡治理，或是其它行业能用到

  是bt134-600，定时和控温功能无效，换回150瓦的电热毯就能再一次有效，什么问题造成的，

  开关长期处在断开状态，求解，谢谢。另外，有人实际应用过图2，图3的电路图吗，仿真发现

  整流元件”（Silicon Controlled Rectifier），简写为SCR，别名晶体闸流管（Thyristor），是一种具有三个PN结、四层

  本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:49 编辑 我这有一个BTA06的双向

  很容易击穿，之后电路就长期处在导通状态，分析了很久没发现什么样的问题，求各路高手帮忙一下，到底哪里设计错了？另外，一直弄不明白R0和R4有

  （SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下

  ，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，大范围的应用在电力、电子线

  使用JST136K 800E,共零线v火线后一直亮，不受控制（软件没问题，接了继电器试过）

  的IT一般为一安到几十安。2、反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压

  为500A，额定（正反向重复峰值）电压为1200V，管压降（通态平均电压）为0.6---0.7V的普通型

  的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变

  (Silicon Controlled Rectifier,SCR)。自从20世纪50年代问世以来已发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向

  写在前面，这篇里面的内容是CSDN下载里下载的资源，觉得不错所以解读，后面会把链接打上。

  的英文:siciconcontrolledrectifier

  本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 编辑 什么是

  调速电路：1：功率1200W2：速度反馈3：电流反馈-----联系：QQ----306141894-----有尝合作-----

  的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆

  芯片尺寸：足160A浪涌电流Ifsm：2400漏电流(Ir)：20mA

  如图所示：1.单片机给IO口发送一个高电平后光耦3063会立即导通还是在交流电压的过零点导通2.如果光耦在输入电压的过零点导通，是不是能够认为

  ,主要看其5个参数:额定平均电流、维持电流、控制极触发电压和电流、 正向阻断峰值电压、反向阻断峰值

  ，那么红色波形应该基本上和地信号一致，为什么怎么试都没有这种情况呢？（触发信号一直加着）

  本帖最后由 Leo12231 于 2020-7-2 10:58 编辑 我现在电路设计是低电平触发

  的T1 目前是直流电源的5V供电（后期是220V交流市电）T2极接了一个5V

  导通以后ak之间压降为130v左右（按照我的理解导通以后压降近似为0，不知对不对）。3 我

  连接灯泡测试亮度严重不足，实测负载两端电压也大概为130伏。4 测量g极

  阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件 单向

  ：能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端

  元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成 当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态

  模块有啥不一样的区别呢？下面就为大家介绍下：首先，从电流方面来说，焊接式模块能做到160A电流，而压接式模块的电流则可达到1200A。也就是说，160A以下的模块，既有焊接

  光耦是TLP3041，是有过零检测的功能，这样的话是不是只要光耦二极管一直导通，

  就能通过交流电压、？光耦的过零检测就是说在0点如果二极管导通，它也反向导通吧？可事实上为什么我的

  本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 双向

  本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 编辑 请问：双向

  控制35W的白炽灯最高只能到达24W，修改了多次程序，期间也试过一直给低电平使

  损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。

  电流几千安，电压通常在一两千伏，良好的主控板保护和良好的水冷条件是必备的。 有效预防中频炉

  X04052P4M2P6M稳压电源TL43178M057805L7805CVL7808CVL7809CVL7812CV`

  无影响（示波器波形黄色为PWM2处波形，蓝色为PWM1处波形，紫色为G点处波形）PWM1对

  本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-29 14:45 编辑 该电路为何需要加BCR这个

  - 无缓冲器电压 - 断态800 V电流 - 通态 (It (RMS))（最大值