SIEMENS G30T49作为电力电子设备的“心脏”，IGBT在国家战略领域中不可或缺。可是，国内IGBT技能起步较晚，开展困难而缓慢。SIEMENS G30T49国内大功率IGBT商场因而一向被国外公司独占。二十世纪六十年代初，株洲所开端培育我国最早的半导体器材研发部队。SIEMENS G30T49改革开放后，该所从美国西屋公司引入一条3英寸大功率半导体生产线，经过消化和吸收，先后成功研发出5英寸系列一般晶闸管和整流管及国际上第一只6英寸晶闸管。

  2008年，SIEMENS G30T49南车年代电气成功并购英国丹尼克斯半导体公司，2012年，株洲所出资15亿元，在株洲建设起国内第一条8英寸IGBT专业芯片线月，自主IGBT模块成功经过功率查核实验，并SIEMENS G30T49于当月底装载至昆明地铁1号线城轨车辆。这标志着中核操控根据FPGA技能的核电厂安全级DCS渠道研发获得阶段性发展，为后续安全级DCS渠道研发奠定了根底。