功率分立器件的演进路径基本为二极管-晶闸管-MOSFET-IGBT，其中，IGBT是功率半导体新一代中的典型产品。

  IGBT既有MOSFET的开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能够比拟的。因而是电力电子领域较为理想的开关器件，被誉为“电力电子器件里的CPU”，也被称为半导体皇冠上的明珠！

  IGBT 领域技术更迭较慢，部分产品能用到 5-10 年之久，同时IGBT的进入壁垒是功率半导体里最高，从芯片设计到模组都需要很久技术积累以及在实际应用中不断调试，注重资深工程师的经验积累，高壁垒重积累的特性利于业内玩家持续强化护城河。

  全球的IGBT应用来看，工控占比37%，为最大的应用领域，电动汽车28%，新能源发电9%，消费领域8%。

  而在国内，由于我国高铁发达，下游应用领域工业控制29%，轨道交通28%，新能源汽车12%，新能源发电8%，不过随着我们国家新能源领域的持续不断的发展，新能车和光伏风电这两块需求占比未来将持续上升。

  2017年全球IGBT市场规模为52.55亿美元，同比2016年增长16.5%，2018年全球IGBT 市场规模在58.36亿美元左右，同比增长11%，在功率半导体各个细分中属于景气度最高的。

  国内的IGBT需求增长远超全球增长。根据智研咨询的数据，2018年中国IGBT市场规模为161.9亿元，同比增长22.19%，增速明显高于全球平均水平。

  受益于新能源车、风电和光伏等我国强势领域的持续发展，预计未来国内IGBT的复合增速继续保持 20%以上。

  这符合我们最终选择高成长行业的基本指标，行业年增速超过20%，属于行业的初级且处于高速成长期，易产生10倍以上的牛股。

  IGBT 市场之间的竞争格局较为集中，主要竞争者包括英飞凌、三菱、富士电机、安森美、瑞士ABB等，2017年全球前五大IGBT厂商的份额超过70%。国内IGBT 龙头斯达半导 2018 年在模块领域市占率仅2.2%。

  由于IGBT的下游应用新能源车、光伏、风电等这些新兴领域，我国在世界上的话语权高于过去的传统燃油车领域和工控领域。

  因此在IGBT的增量空间中有一半以上需求都在中国，未来几年我国的IGBT市场需求占比将从 2019 年不足35%提升到 2025 年的50%或以上，为我国的 IGBT厂商提升份额和竞争力创造了良好的条件，国产IGBT厂商市场占有率和业务量的提升潜力非常大。

  庞大的本土下游需求加国产替代的浪潮，国内已经实现从0到1突破的优秀IGBT公司，将迎来未来5-10 年从1到N 的黄金发展机遇期。