OFweek 2021人工智能在线系列活动】-轿车电子技术在线会议暨在线展

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器材, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的长处。GTR饱满压下降，载检查概况

  流密度大，但驱动电流比较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT归纳了以上两种器材的长处，驱动功率小而饱满压下降。很合适使用于直流电压为600V及以上的变流体系如沟通电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范畴。

  IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA_(T)-R3G系列一、产品介绍 根据国内外新能源职业开展形状趋势，半导体使用商场继续扩展；关于新能源充电桩、光伏SVG职业，IGBT/SiC MOSFET的使用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器供给驱动才能的来历，商场潜力巨大

  全新4.5 kV XHP3 IGBT模块让驱动器完成尺度小型化和功率最大化

  【2023年12月25日，德国慕尼黑讯】许多使用都呈现了选用更小IGBT模块，以及将杂乱规划搬运给产业链上游的显着趋势。为了适应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / O

  以高度灵敏性满足高功率密度和性能需求：英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合，推出全新电流额外值模块

  英飞凌科技股份公司推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规范高达 800 A ，扩展了英飞凌选用老练的62 mm 封装规划的产品组合

  Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源使用中完成超卓功率

  为功率电子规划人员供给带有全额敏捷康复二极管的稳健型175℃规范IGBT。奈梅亨，2023年7月5日：根底半导体器材范畴的高产能出产专家Nexperia今天宣告，将凭仗600 V器材系列进军绝缘栅双极晶体管（IGBT）商场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军商场的第一炮

  意法半导体发布灵敏可变的阻隔式降压转化器芯片，维护功率转化和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动

  2023 年 5月 16 日，我国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 阻隔降压 （iso－buck） 转化器芯片具有能效高、尺度紧凑，以及低静态电流、3．5V－38V 宽输入电压等优势。L69

  瑞萨电子推出新式栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

  全新栅极驱动IC支撑1200V功率器材，阻隔电压为3．75kVrms2023 年 1 月 30日，我国北京讯 － 全球半导体解决方案供货商瑞萨电子（TSE：6723）今天宣告，推出一款全新栅极驱动IC

  跟着电气化、高功率场景的推动，功率器材的使用场景规模越来越广；近20年来，一切的范畴对功率器材的电压和频率要求越来越严厉，功率MOSFET和IGBT渐渐的变成为干流；IGBT与功率MOSFET，在某些电压和频率场景上有必定的彼此代替联系，特别是第三代半导体资料制造的MOSFET与硅基IGBT之间的竞赛

  MPH-341系列光电耦合器很合适驱动功率IGBTs和mosfet使用在电机操控逆变器使用和逆变电源体系。它包括一个与功率输出级集成电路耦合的AlGaAs ledopic；3.0A的峰值输出电流可以直接驱动额外额外值高达1200 V/200 a的大多数igbt，关于额外额外值更高的igbt